石墨烯具有大的比表面積、高的化學(xué)惰性以及優(yōu)異的阻隔性，被認(rèn)為是已知最薄的防護(hù)材料，采用化學(xué)氣相沉積（CVD）法制備的石墨烯薄膜可直接用于金屬的腐蝕防護(hù)，逐漸成為制備石墨烯防護(hù)薄膜最主要的方法。但石墨烯薄膜在制備過程不可避免會引入空位、晶界等結(jié)構(gòu)缺陷，將其長時間暴露在空氣中，腐蝕介質(zhì)容易通過這些缺陷與基底金屬發(fā)生反應(yīng)，且高導(dǎo)電的石墨烯薄膜將促進(jìn)界面處的電化學(xué)反應(yīng)進(jìn)而加速基底金屬的腐蝕。

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